片式二极管【SMD Diode】全称：片式晶体二极管s10官网注册，也称为：贴片二极管。
二极管与三极管一样属于基础的片式半导体器件，其重要的性质就是单向导电特性。半导体是一种特殊性质的物质，它不像导体一样可以导电，也不像绝缘体那样不 能导电，而是介于二者之间，所以称之为半导体，在半导体中有二种重要的元素就是硅和锗，晶体二极管根据所用的半导体材料，可分为锗二极管（Ge管）和硅 二极管（Si管）。
贴片二极管按照不同功能和用途可分为贴片式开关二极管、变容二极管、稳压片式二极管s10官网注册、整流片式二极管 、肖特基片式二极管、瞬变抑制二极管s10官网注册、发光二极管等。目前国内贴片二极管主要生产厂家包括风华高科（FH）和江苏长电科技JCST等。国外二极管品牌包括VISHAY（威世）、ST（意法半导体）、东芝 、AVAGO（安华高）等，目前在常规用途和封装方面，国内二极管品牌与国外相比没有明显差距。
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开关二极管
开关二极管是半导体二极管的一种，是为在电路上进行"开"、"关"而特殊设计制造的一类二极管s10官网注册。它由导通变为截止或由截止变为导通所需的时间比一般二极管短s10官网注册，常用型号为1N4148等。
开关二极管从截止（高阻状态）到导通（低阻状态）的时间叫开通时间；从导通到截止的时间叫反向恢复时间；两个时间之和称为开关时间。一般反向恢复时间大于开通时间，故在开关二极管的使用参数上只给出反向恢复时间s10官网注册。
开关二极管具有开关速度快、体积小、寿命长、可靠性高等特点，广泛应用于电子设备的开关电路、检波电路、高频和脉冲整流电路及自动控制电路中。
变容二极管
变容二极管(Varactor Diodes)又称"可变电抗二极管"。是一种利用PN结电容（势垒电容)与其反向偏置电压Vr的依赖关系及原理制成的二极管。当外加顺向偏压时s10官网注册，有大量电流产生s10官网注册，PN（正负极）接面的耗尽区变窄，电容变大s10官网注册，产生扩散电容效应；当外加反向偏压时，则会产生过渡电容效应。但因加顺向偏压时会有漏电流的产生，所以在应用上均供给反向偏压。在高频调谐s10官网注册、通信等电路中作可变电容器使用。反向偏压越高s10官网注册，结电容则越少，反向偏压与结电容之间的关系是非线性的s10官网注册。
贴片稳压二极管/齐纳二极管
稳压二极管(又叫齐纳二极管)是一种直到临界反向击穿电压前都具有很高电阻的半导体器件。在这临界击穿点上，反向电阻降低到一个很小的数值s10官网注册，在这个低阻区中电流增加而电压则保持恒定，稳压二极管是根据击穿电压来分档的。因为这种特性，稳压管主要被作为稳压器或电压基准元件使用。
参数：（1）稳定电压s10官网注册；（2）电压温度系数；（3）动态电阻；（4）稳定电流 s10官网注册，*大、*小稳定电流；（5）*大允许功耗。
特点：被击穿后，其两端的电压基本保持不变s10官网注册。当把稳压管接入电路以后s10官网注册，若由于电源电压发生波动，或其它原因造成电路中各点电压变动时，负载两端的电压将基本保持不变。
两个稳压二极管反向串联的作用：1s10官网注册、经常在功率较大的放大电路s10官网注册，功率管的基极b与发射极e即发射结并联两个反向的二极管，这是通过对发射结输入电流的分流作用而起?；ぷ饔?s10官网注册；2、两个二极管反向串联后对与之并联的电路可起过压?；ぷ饔?，当电路过压时，二极管首先击穿短路；
贴片整流二极管
整流二极管英文全称rectifier diode，一般为平面型硅二极管，用于各种电源整流电路中，是一种用于将交流电转变为直流电的半导体器件。整流二极管具有明显的单向导电性,可用半导体锗或硅等材料制造。硅整流二极管的击穿电压高，反向漏电流小，高温性能良好s10官网注册。通常高压大功率整流二极管都用高纯单晶硅制造(掺杂较多时容易反向击穿）。这种器件的结面积较大s10官网注册，能通过较大电流（可达上千安），但工作频率不高，一般在几十千赫以下,主要用于各种低频半波整流电路，如需达到全波整流需连成整流桥使用。
选用：选用整流二极管时s10官网注册，主要应考虑其*大整流电流、*大反向工作电流、截止频率及反向恢复时间等参数s10官网注册。普通串联稳压电源电路中使用的整流二极管，对截止频率的反向恢复时间要求不高s10官网注册，只要根据电路的要求选择*大整流电流和*大反向工作电流符合要求即可?？匚妊沟缭吹恼鞯缏芳奥龀逭鞯缏分惺褂?，应选用工作频率较高s10官网注册s10官网注册、反向恢复时间较短的整流二极管或选择快恢复二极管。
主要参数：
（1）*大平均整流电流IF：指长期工作时允许通过的*大正向平均电流。该电流由PN结的结面积和散热条件决定s10官网注册。使用时应注意通过二极管的平均电流不能大于此值，并要满足散热条件s10官网注册。例如1N4000二极管的IF为1A。
?。?）较高反向工作电压VR：指二极管两端允许施加的*大反向电压s10官网注册s10官网注册。若大于此值，则反向电流(IR)剧增，单向导电性被破坏，从而引起反向击穿。通常取反向击穿电压(VB)的一半作为(VR)。例如1N4001的VR为50Vs10官网注册，1N4002-1n4006分别为100V、200Vs10官网注册、400V、600V和800V，1N4007的VR为1000V
?。?）*大反向电流IR：较高反向工作电压下允许流过的反向电流，此参数反映了单向导电性能的好坏。因此这个电流值越小，表明质量越好s10官网注册。
10官网注册。?）击穿电压VR：指二极管反向伏安特性曲线急剧弯曲点的电压值。反向为软特性时，则指给定反向漏电流条件下的电压值。
10官网注册。?）较高工作频率fm：正常情况下的较高工作频率。主要由PN结的结电容及扩散电容决定s10官网注册，若工作频率超过fm，则二极管的单向导电性能将不能很好地体现s10官网注册。例如1N4000系列二极管的fm为3kHz。
?。?）反向恢复时间tre：指在规定的负载、正向电流及*大反向瞬态电压下的反向恢复时间。
?。?）零偏压电容CO：指两端电压为零时，扩散电容及结电容的容量之和。值得注意的是，由于制造工艺的限制s10官网注册，即使同一型号的二极管其参数的离散性也很大s10官网注册。手册中给出的参数往往是一个范围，若测试条件改变，则相应的参数也会发生变化，例如在25°C时测得1N5200系列硅塑封整流二极管的IR小于10uA，而在100°C时IR则变为小于500uAs10官网注册。
整流二极管代换需要注意的问题：
整流二极管损坏后，可以用同型号的整流二极管或参数相贩其它型号代换。通常s10官网注册，高耐压值（反向电压）的整流二极管可以代换低耐压值的整流二极管，而低耐压值的整流二极管不能代换高耐压值的整流二极管s10官网注册。整流电流值高的二极管可以代换整流电流值低的二极管，而整流电流值低的则不能代换整流电流值高的二极管。
贴片肖特基二极管
肖特基二极管英文全称为SchottkyBarrierDiode，常常简称为SBDs10官网注册，不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属－半导体结原理制作的，因此也被称为金属－半导体（接触）二极管或表面势垒二极管或肖特基势垒二极管，它是一种热载流子二极管s10官网注册。
肖特基二极管特性：低功耗、大电流、超高速半导体器件。其反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降仅0.4V左右，而整流电流却可达到几千毫安s10官网注册。这些优良特性是快恢复二极管所无法比拟的。中s10官网注册、小功率肖特基整流二极管大多采用封装形式。但其反向击穿电压比较低，大多不高于60Vs10官网注册s10官网注册，较高仅约100V，以致于限制了其应用范围。像在开关电源（SMPS）和功率因数校正（PFC）电路中功率开关器件的续流二极管、变压器次级用100V以上的高频整流二极管、RCD缓冲器电路中用600V～1.2kV的高速二极管以及PFC升压用600V二极管等s10官网注册，只有使用快速恢复外延二极管（FRED）和超快速恢复二极管（UFRD）。肖特基二极管封装：分为有引线和表面安装（贴片式）两种安装形式。 采用有引线式封装通常作为高频大电流整流二极管、续流二极管或?；ざ苁褂?。它有单管式和对管（双二极管）式两种封装形式。肖特基对管又有共阴（两管的负极相连）s10官网注册、共阳（两管的正极相连）和串联（一只二极管的正极接另一只的负极）三种管脚引出方式。
采用表面封装的肖特基二极管有单管型、双管型和三管型等多种封装形式，有A~19种管脚引出方式
贴片瞬变抑制二极管(台湾佑风)
瞬态抑制二极管(TVS，Transient Voltage Suppressors)又称为瞬变二极管，一种高品质的突波吸收器s10官网注册，是目前国际上普遍使用的一种高效能电路?；て骷?s10官网注册，它的外型与普通二极管相同，但却能吸收高达数千瓦的浪涌功率。
主要特点：并联在电路中，在反向应用条件下s10官网注册，当承受一个高能量的大脉冲时，其工作阻抗立即降至极低的导通值，从而允许大电流通过，同时把电压箝制在预定水平s10官网注册，其响应时间仅为10-12毫秒s10官网注册，因此可有效地?；さ缱酉呗分械木茉骷?。 在电路中产生瞬态电压时，TVS利用雪崩原理s10官网注册，以P秒级的反应速度瞬间起到分流限压作用、从而?s10官网注册；じ涸夭槐凰鸹?br> 应用领域：广泛应用于通信、电脑,、仪器仪表、汽车电子、开关电源、防雷及楼宇安防产品。风华与长电二极管代理商南京南山半导体介绍
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